|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. И. Орлов, Н. А. Ярыкин, Е. Б. Якимов, “Влияние никеля и меди, введенных при комнатной температуре, на рекомбинационные свойства протяженных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 433–436   ; V. I. Orlov, N. A. Yarykin, E. B. Yakimov, “Effect of nickel and copper introduced at room temperature on the recombination properties of extended defects in silicon”, Semiconductors, 53:4 (2019), 411–414 |
3
|
| 2. |
С. М. Пещерова, Е. Б. Якимов, А. И. Непомнящих, В. И. Орлов, О. В. Феклисова, Л. А. Павлова, Р. В. Пресняков, “Зависимость объемных электрофизических свойств мультикремния от параметров разориентации зерен”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 59–64 ; S. M. Peshcherova, E. B. Yakimov, A. I. Nepomnyashchikh, V. I. Orlov, O. V. Feklisova, L. A. Pavlova, R. V. Presnyakov, “Dependence of the bulk electrical properties of multisilicon on the grain misorientation parameters”, Semiconductors, 53:1 (2019), 55–59 |
1
|
|
2015 |
| 3. |
В. И. Орлов, О. В. Феклисова, Е. Б. Якимов, “Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 737–740 ; V. I. Orlov, O. V. Feklisova, E. B. Yakimov, “EBIC and LBIC studies of the properties of extended defects in plastically deformed silicon”, Semiconductors, 49:6 (2015), 720–723 |
3
|
|
2013 |
| 4. |
С. К. Брантов, С. И. Божко, И. А. Рыжкин, И. М. Шмытько, В. И. Орлов, “Структурное состояние и механические свойства нанокристаллических пленок углерода, полученных при пиролизе метана в электрическом поле”, Письма в ЖТФ, 39:2 (2013), 21–28 ; S. K. Brantov, S. I. Bozhko, I. A. Ryzhkin, I. M. Shmyt'ko, V. I. Orlov, “Structural state and mechanical properties of nanocrystalline carbon films obtained by methane pyrolysis in electric field”, Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 108–111 |
3
|
|
