Научная биография: |
Герт, Антон Владимирович.
Моделирование электронных состояний и оптических процессов в кремниевых наноструктурах : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН]. - Санкт-Петербург, 2016. - 93 с. : ил. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. В. Герт, М. О. Нестоклон, А. А. Прокофьев, И. Н. Яссиевич, “Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1325–1340   ; A. V. Gert, M. O. Nestoklon, A. A. Prokof'ev, I. N. Yassievich, “Tight-binding simulation of silicon and germanium nanocrystals”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1274–1289 |
4
|
|
2015 |
| 2. |
А. В. Герт, И. Н. Яссиевич, “Роль поверхностных автолокализованных экситонов в энергетической релаксации фотовозбужденных кремниевых нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 503–508 ; A. V. Gert, I. N. Yassievich, “Role of surface self-trapped excitons in the energy relaxation of photoexcited silicon nanocrystals”, Semiconductors, 49:4 (2015), 492–497 |
10
|
|
2013 |
| 3. |
А. В. Герт, И. Н. Яссиевич, “Излучательная и безызлучательная рекомбинация автолокализованного
экситона на поверхности кремниевого нанокристалла”, Письма в ЖЭТФ, 97:2 (2013), 93–97 ; A. V. Gert, I. N. Yassievich, “Radiative and nonradiative recombination of self-trapped exciton on silicon nanocrystal interface”, JETP Letters, 97:2 (2013), 87–91   |
11
|
|
