|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Ф. Ф. Комаров, С. Б. Ластовский, И. А. Романов, И. Н. Пархоменко, Л. А. Власукова, Г. Д. Ивлев, Y. Berencen, А. А. Цивако, Н. С. Ковальчук, E. Wendler, “Слои кремния, гиперпересыщенные теллуром, для фотодиодов видимого и инфракрасного диапазонов”, ЖТФ, 91:12 (2021), 2026–2037   |
| 2. |
Ф. Ф. Комаров, И. Н. Пархоменко, О. В. Мильчанин, Г. Д. Ивлев, Л. А. Власукова, Ю. Жук, А. А. Цивако, Н. С. Ковальчук, “Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном”, Оптика и спектроскопия, 129:8 (2021), 1037–1047 ; F. F. Komarov, I. N. Parkhomenko, O. V. Milchanin, G. D. Ivlev, L. A. Vlasukova, Yu. Żuk, A. A. Tsivako, N. S. Koval'chuk, “Effect of pulsed laser annealing on optical properties of selenium-hyperdoped silicon”, Optics and Spectroscopy, 129:10 (2021), 1114–1124 |
3
|
|
2020 |
| 3. |
Г. Д. Ивлев, В. А. Зайков, И. М. Климович, Ф. Ф. Комаров, О. Р. Людчик, “Наносекундное воздействие интенсивного лазерного излучения на тонкие плёнки TiAlN”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 144–150 ; G. D. Ivlev, V. A. Zaikov, I. M. Klimovich, F. F. Komarov, O. R. Lyudchik, “Nanosecond action of intensive laser radiation on thin TiAlN films”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 141–147 |
|
2019 |
| 4. |
Р. И. Баталов, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, Н. И. Нургазизов, А. А. Бухараев, Г. Д. Ивлев, А. Л. Степанов, “Фотоэлектрические свойства композитных слоев Si с наночастицами Ag, полученных ионной имплантацией и лазерным отжигом”, Оптика и спектроскопия, 126:2 (2019), 214–219 ; R. I. Batalov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, N. I. Nurgazizov, A. A. Bukharaev, G. D. Ivlev, A. L. Stepanov, “Photoelectric properties of composite Si layers with Ag nanoparticles obtained by ion implantation and laser annealing”, Optics and Spectroscopy, 126:2 (2019), 144–149 |
3
|
| 5. |
В. А. Володин, Г. К. Кривякин, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, С. В. Гусакова, А. А. Попов, “Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур $a$-Ge/$a$-Si под действием наносекундного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 423–429 ; V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, S. V. Gusakova, A. A. Popov, “Crystallization of amorphous germanium films and multilayer $a$-Ge/$a$-Si structures upon exposure to nanosecond laser radiation”, Semiconductors, 53:3 (2019), 400–405 |
26
|
|
2018 |
| 6. |
Р. И. Баталов, В. В. Воробьев, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, Д. А. Бизяев, А. А. Бухараев, Р. М. Баязитов, Ю. Н. Осин, Г. Д. Ивлев, А. Л. Степанов, “Воздействие импульсного лазерного излучения на слои Si с высокой дозой имплантированных ионов Ag$^{+}$”, Оптика и спектроскопия, 124:4 (2018), 549–555 ; R. I. Batalov, V. V. Vorobev, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, D. A. Bizyaev, A. A. Bukharaev, R. M. Bayazitov, Yu. N. Osin, G. D. Ivlev, A. L. Stepanov, “The effect of pulsed laser radiation on a Si layer with a high dose of implanted Ag$^{+}$ ions”, Optics and Spectroscopy, 125:4 (2018), 571–577 |
3
|
|
2015 |
| 7. |
А. И. Власенко, В. П. Велещук, В. А. Гнатюк, С. Н. Левицкий, З. К. Власенко, Г. Д. Ивлев, Е. И. Гацкевич, “Акустический отклик при воздействии наносекундных лазерных импульсов на тонкоплeночную гетеросистему In/CdTe”, Физика твердого тела, 57:6 (2015), 1073–1078 ; A. I. Vlasenko, V. P. Veleshchuk, V. A. Gnatyuk, S. Levytskyi, Z. K. Vlasenko, G. D. Ivlev, E. I. Gatskevich, “Acoustic response to the action of nanosecond laser pulses on an In/CdTe thin-film heterostructure”, Phys. Solid State, 57:6 (2015), 1089–1094 |
3
|
| 8. |
Г. А. Новиков, Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов, И. А. Файзрахманов, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, “Оптическая диагностика лазерно-индуцированных фазовых превращений в тонких пленках германия на кремнии, сапфире и кварце”, ЖТФ, 85:3 (2015), 89–95 ; H. A. Novikov, R. I. Batalov, R. M. Bayazitov, I. A. Faizrakhmanov, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, “Optical diagnostics of the laser-induced phase transformations in thin germanium films on silicon, sapphire, and fused silica”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 406–412 |
5
|
| 9. |
Г. А. Новиков, Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов, И. А. Файзрахманов, Н. М. Лядов, В. А. Шустов, К. Н. Галкин, Н. Г. Галкин, И. М. Чернев, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, П. И. Гайдук, “Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: структура и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 746–752 ; H. A. Novikov, R. I. Batalov, R. M. Bayazitov, I. A. Faizrakhmanov, N. M. Lyadov, V. A. Shustov, K. N. Galkin, N. G. Galkin, I. M. Chernev, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, P. I. Gaiduk, “Pulsed modification of germanium films on silicon, sapphire, and quartz substrates: Structure and optical properties”, Semiconductors, 49:6 (2015), 729–735 |
6
|
| 10. |
Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев, В. Л. Малевич, “Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении”, Письма в ЖТФ, 41:1 (2015), 43–49 ; E. I. Gatskevich, G. D. Ivlev, V. L. Malevich, “Formation of cellular structure in SiGe layers under nanosecond laser irradiation”, Tech. Phys. Lett., 41:1 (2015), 21–24 |
1
|
|
2014 |
| 11. |
Г. Д. Ивлев, Н. М. Казючиц, С. Л. Прокопьев, М. С. Русецкий, П. И. Гайдук, “Структура и фотопроводимость эпитаксиальных слоев SiGe/Si, модифицированных моноимпульсным лазерным облучением”, Письма в ЖТФ, 40:23 (2014), 9–15 ; G. D. Ivlev, N. M. Kazyuchits, S. L. Prokopyev, M. S. Rusetsky, P. I. Gaiduk, “The structure and photoconductivity of SiGe/Si epitaxial layers modified by single-pulse laser radiation”, Tech. Phys. Lett., 40:12 (2014), 1042–1044 |
2
|
|
2012 |
| 12. |
Г. Д. Ивлев, Е. И. Гацкевич, “Оптико-пирометрическая диагностика состояния кремния при наноимпульсном лазерном облучении”, ЖТФ, 82:6 (2012), 69–72 ; G. D. Ivlev, E. I. Gatskevich, “Optical-pyrometric diagnostics of the state of silicon during nanopulsed laser irradiation”, Tech. Phys., 57:6 (2012), 803–806 |
10
|
|
1995 |
| 13. |
Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев, А. М. Чапланов, “Плавление и отвердевание поверхностного слоя монокристаллического кремния при импульсном лазерном нагреве”, Квантовая электроника, 22:8 (1995), 805–810 [E. I. Gatskevich, G. D. Ivlev, A. M. Chaplanov, “Melting and solidification of the surface layer of single-crystal silicon heated by pulsed laser radiation”, Quantum Electron., 25:8 (1995), 774–779  ] |
13
|
|
1992 |
| 14. |
Л. П. Авакянц, Г. Д. Ивлев, Е. Д. Образцова, “Комбинационное рассеяние света в лазерно-кристаллизованном кремнии”, Физика твердого тела, 34:11 (1992), 3334–3338 |
|
1988 |
| 15. |
Г. Д. Ивлев, В. Л. Малевич, “Нагрев и плавление монокристаллического германия при наносекундном лазерном воздействии”, Квантовая электроника, 15:12 (1988), 2584–2586 [G. D. Ivlev, V. L. Malevich, “Heating and melting of single-crystal germanium by nanosecond laser pulses”, Sov J Quantum Electron, 18:12 (1988), 1626–1627 ] |
5
|
|
1985 |
| 16. |
И. М. Романов, Г. Д. Ивлев, Б. А. Будкевич, В. А. Пилипович, И. А. Гесь, С. П. Жвавый, “Влияние импульсного лазерного излучения на характеристики электрохромных пленок”, Письма в ЖТФ, 11:2 (1985), 122–125 |
|
1984 |
| 17. |
И. М. Романов, Г. Д. Ивлев, Б. А. Будкевич, В. А. Пилипович, И. А. Гесь, С. П. Жвавый, “Влияние импульсного лазерного излучения на характеристики
электрохромных пленок”, ЖТФ, 54:12 (1984), 2366–2368 |
|
