|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Н. В. Бондарь, М. С. Бродин, Н. А. Матвеевская, Т. Г. Бейник, “Передача энергии электронного возбуждения в масcиве квантовых точек CdS на квазидвумерной поверхности”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 199–205   ; N. V. Bondar', M. S. Brodin, N. A. Matveevskaya, T. G. Beynik, “Electronic excitation energy transfer in an array of CdS quantum dots on a quasi-two-dimensional surface”, Semiconductors, 53:2 (2019), 188–194 |
4
|
|
2016 |
| 2. |
Н. В. Бондарь, М. С. Бродин, А. М. Бродин, Н. А. Матвеевская, “Фотолюминесценция и конфайнмент экситонов в пористых неупорядоченных пленках”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 369–376 ; N. V. Bondar', M. S. Brodin, A. M. Brodin, N. A. Matveevskaya, “Photoluminescence and confinement of excitons in disordered porous films”, Semiconductors, 50:3 (2016), 364–371 |
3
|
|
2012 |
| 3. |
Н. В. Бондарь, М. С. Бродин, “Фотолюминесценция и энергия экситонов в перколяционном кластере квантовых точек ZnSe как фрактальном объекте”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 644–648 ; N. V. Bondar', M. S. Brodin, “Exciton photoluminescence and energy in a percolation cluster of ZnSe quantum dots as a fractal object”, Semiconductors, 46:5 (2012), 625–630 |
1
|
|
1993 |
| 4. |
М. С. Бродин, Н. В. Бондарь, А. В. Коваленко, А. Ю. Мекекечко, В. В. Тищенко, “Исследование оптических характеристик квантово-размерных халькогенидных структур, выращенных методом лазерно-стимулированной газофазовой эпитаксии”, Квантовая электроника, 20:7 (1993), 629–630 [M. S. Brodin, N. V. Bondar', A. V. Kovalenko, A. Yu. Mekekechko, V. V. Tishchenko, “Optical characteristics of chalcogenide quantum-well structures grown by laser-induced vapor-phase epitaxy”, Quantum Electron., 23:7 (1993), 543–544  ] |
1
|
|
1992 |
| 5. |
А. В. Коваленко, А. Ю. Мекекечко, Н. В. Бондарь, В. В. Тищенко, Ю. М. Щекочихин, С. М. Румянцева, И. С. Малашенко, “Исследование оптических характеристик эпитаксиальных слоев ZnSe/GaAs (100), выращенных методами молекулярно-лучевой эпитаксии
и газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992), 1251–1255 |
|
