Многопереходные солнечные элементы на основе GaInN/GaN/GaInP/GaAs/Si/InGaAsP

Выполнена оценка предельной эффективности многопереходных солнечных элементов с помощью термодинамического подхода к расчету эффективности. Согласно проведенным исследованиям, эффективность однопереходных солнечных элементов для исследуемых материалов не превышает $50\%$. Увеличение числа $p-n$ переходов от одного до шести приводит к повышению эффективности преобразования солнечного излучения от $\sim 18,2\%$ до $\sim 62,5\%$ (при понижающем коэффициенте $d = 0,8$) и от $\sim 20,2\%$ до $\sim 55,5\%$ (при понижающем коэффициенте $d = 0,7 \dots 0,89$). Показано, что наиболее оптимальны по эффективности солнечные элементы с шестью $p-n$ переходами.