|
|
Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1, страницы 28–32
(Mi phts1015)
|
|
|
|
Физические явления в диодах Шоттки на соединениях
A$^{\text{II}}$B$_{2}^{\text{V}}$
А. Ю. Камерцель, Г. А. Кудинцева, И. Г. Стамов, Н. Н. Сырбу
Аннотация:
Приводятся результаты исследования электрических
и фотоэлектрических свойств диодов Шоттки на основе ряда соединений
A$^{\text{II}}$B$^{\text{V}}_{2}$. В результате исследований вольтамперных
характеристик при разных температурах, вольтфарадных и фотоэлектрических
характеристик показано, что экспериментальные данные могут быть объяснены
при учете диэлектрического зазора, поверхностной эмиссии и процессов
туннелирования.
Образец цитирования:
А. Ю. Камерцель, Г. А. Кудинцева, И. Г. Стамов, Н. Н. Сырбу, “Физические явления в диодах Шоттки на соединениях
A$^{\text{II}}$B$_{2}^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 28–32
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1015 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i1/p28
|
|