Лазерный и термический отжиг ультрадисперсных имплантированных слоев германия

С применением электронографии на отражение, ИК спектроскопии и 4-зондовой методики измерения слоевой проводимости исследованы структура, оптические и электрические свойства ультрадисперсных имплантированных слоев (ИС) германия, полученных бомбардировкой ионами In$^{+}$ (энергия иона ${E=30}$ кэВ, доза облучения ${D=1.8\cdot10^{16}\,\text{ион/см}^{2}}$, плотность ионного тока ${j\lesssim2.5\,\text{мкА/см}^{2}}$) и подвергнутых последующему термическому (температура и время отжига соответственно ${T_{\text{отж}}=25{-}700^{\circ}}$С, ${t_{\text{отж}}=30}$ мин) и импульсному лазерному отжигу (длина волны излучения ${\lambda=0.69}$ мкм, длительность импульса ${\tau=25}$ нс, плотность энергии импульса ${W= 0.01{-}1.0\,\text{Дж/см}^{2}}$), с целью установления оптимальных режимов отжига.
Установлено, что при монотонном увеличении $W$ от некоторого значения — порога кристаллизации ${W_{\text{кр}}=0.02\,\text{Дж/см}^{2}}$ до порога светового разрушения ${W_{\text{разр}}=1.0\,\text{Дж/см}^{2}}$ происходит трансформация от характерной для ультрадисперсных слоев мелкокристаллической структуры до монокристаллической при ${W > 0.4\,\text{Дж/см}^{2}}$. При этом степень восстановления кристаллической структуры, значения слоевой проводимости и коэффициента отражения света лазерно отожженных в оптимальном режиме ИС значительно превышают соответствующие показатели для слоев, термически отожженных при любых использованных режимах.