Определение рекомбинационной активности и глубины залегания точечнообразных дефектов в кристаллах полупроводников методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе

На основании модели формирования контраста на точечнообразных дефектах в режиме наведенного тока описан метод определения рекомбинационной активности и глубины залегания локализованных рекомбинационно-активных дефектов (РАД). Показано, что величина максимального контраста на локализованном РАД не может служить характеристикой его рекомбинационной активности. Измерены величины рекомбинационной активности и глубины залегания отдельных РАД. Установлено хорошее соответствие экспериментально полученных кривых изменения контраста вблизи локализованного РАД с рассчитанным по модели, предложенной С. Donolato. Обнаружены отдельные дефекты, кривые изменения контраста на которых существенно шире теоретического, что связано, по-видимому, с отклонением размеров этих дефектов от рассматриваемых в используемой модели.