ИК фотопроводимость $a$-Si : Н в условиях собственной подсветки

Измерены спектры ИК фотопроводимости (${\hbar\omega=0.4\div0.73}$ эВ), температурные зависимости стационарной фотопроводимости и люксамперные характеристики (ЛАХ) пленок $a$-Si : Н (полученных разложением моносилана в тлеющем высокочастотном разряде) в интервале температур ${350\div210}$ K в условиях собственной подсветки. Наблюдались температурное гашение стационарной фотопроводимости и суперлинейный ход люксамперных характеристик, что указывает на наличие двух типов центров рекомбинации в запрещенной зоне. Определены пороговые энергии для ИК фотопроводимости при различных уровнях подсветки и обнаружена корреляция пороговых энергий с положением квазиуровня Ферми для свободных носителей. Обсуждаются вопросы распределения плотности состояний в щели подвижности.