Исследование плотности локализованных состояний в $a$-Si : Н методом оптического поглощения

В рамках приближения Мотта–Дэвиса для высокочастотной проводимости и гауссова распределения полосы локализованных состояний получены аналитические выражения, связывающие спектральную зависимость коэффициента поглощения $a$-Si : Н с распределением плотности локализованных состояний по энергии $N_{t}(E)$ в нижней половине щели подвижности.
Из экспериментальных спектров коэффициента поглощения найдены распределения $N_{t}(E)$. Показано влияние длительной засветки на $N_{t}(E)$.