Исследование влияния облучения быстрыми электронами на электрофизические свойства Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se

Проведены измерения гальваномагнитных эффектов в слабых магнитных полях при ${4.2\leqslant T\leqslant300}$ K и эффекта Шубникова–де-Гааза в полях ${B\leqslant6}$ Т (${ B\parallel\langle100\rangle}$) у монокристаллических образцов Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se (${0\leqslant x\leqslant0.06}$) $n$- и $p$-типа, облученных быстрыми электронами (${E=2.2}$ МэВ, ${\Phi\leqslant1.6\cdot10^{17}\,\text{см}^{-2}}$). Обнаружены увеличение концентрации носителей в образце $n$-типа и инверсия типа проводимости в образцах $p$-типа при облучении.
Изохронный отжиг облученных образцов показал, что радиационные дефекты стабильны вплоть до температур ${T\simeq360}$ K. Полученные экспериментальные результаты обсуждаются в рамках модели, предложенной Парадой и Праттом.