О фотостимулированном магнитосопротивлении полупроводников

Рассчитано магнитосопротивление (МС) невырожденного полупроводника в присутствии линейно поляризованной лазерной подсветки в классических магнитных полях H. Учтены разогрев электронного газа, а также дипольная и квадрупольная деформации функции распределения. Показано, что возникновение поперечной (по отношению к тянущему полю) ЭДС и нечетного МС (в слабых магнитных полях) обусловлено в основном квадрупольной деформацией. При этом, если рассеяние носителей происходит на акустических фононах, нечетное МС${{}\sim H\ln|H|}$. Фотостимулированное четное МС определяется в основном разогревными слагаемыми.