Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 2, страницы 268–271 (Mi phts1069)  

Влияние состава твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te на резонансные состояния таллия

В. И. Кайданов, С. А. Немов, А. М. Зайцев
Аннотация: В твердых растворах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te (${x=0\div0.2}$), легированных таллием (${N_{\text{Tl}}=2}$ ат%), исследованы основные кинетические коэффициенты: удельной электропроводности $\sigma$, Холла $R$, термоэдс $\alpha$ и поперечного эффекта Нернста–Эттингсгаузена $Q$ в диапазоне температур 77$-$420 K. Особенности электрофизических свойств твердых растворов с примесью таллия связываются с наличием полосы резонансных состояний, расположенных на фоне состояний валентной зоны. Показано, что с ростом содержания олова в твердых растворах полоса резонансных состояний опускается в глубь валентной зоны со скоростью ${d\varepsilon_{\text{Tl}}/dx\gtrsim1}$ эВ относительно вершины $\Sigma$-экстремума, что приводит к уменьшению степени заполнения ее дырками и влияния на кинетические коэффициенты. Полученные результаты свидетельствуют о том, что резонансные состояния таллия в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te генетически не связаны с экстремумами в $L$- и $\Sigma$-точках.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Кайданов, С. А. Немов, А. М. Зайцев, “Влияние состава твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te на резонансные состояния таллия”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 268–271
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KaiNemZai85}
\by В.~И.~Кайданов, С.~А.~Немов, А.~М.~Зайцев
\paper Влияние состава твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te
на резонансные состояния таллия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 2
\pages 268--271
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1069}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1069
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i2/p268
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:121
    PDF полного текста:51
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026