Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 2, страницы 328–331 (Mi phts1087)  
Краткие сообщения

Использование электрооптического эффекта для изучения области пространственного заряда высоковольтных арсенид-галлиевых $p{-}n$-структур

В. И. Корольков, В. Н. Красавин, С. И. Пономарев, Г. И. Цвилев
PDF полного текста (1442 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Корольков, В. Н. Красавин, С. И. Пономарев, Г. И. Цвилев, “Использование электрооптического эффекта для изучения области пространственного заряда высоковольтных арсенид-галлиевых $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 328–331
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KorPon85}
\by В.~И.~Корольков, В.~Н.~Красавин, С.~И.~Пономарев, Г.~И.~Цвилев
\paper Использование электрооптического эффекта для изучения области
пространственного заряда высоковольтных арсенид-галлиевых $p{-}n$-структур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 2
\pages 328--331
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1087}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1087
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i2/p328
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025