Собственные точечные дефекты в бездислокационных кристаллах кремния, сильно легированных мышьяком

Методом прецизионных измерений периода решетки, плотности, холловской концентрации носителей заряда и их подвижности исследована природа точечных дефектов в бездислокационных кристаллах Si, сильно легированных As. Показано, что при концентрациях As в Si выше ${3\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$ основными точечными дефектами в таких кристаллах являются комплексы $V_{\text{Si}}{-}\text{As}_{\text{Si}}$. На основе статистики Ферми для электронов и квазихимического приближения для точечных дефектов построена статистика вакансионно-примесных комплексов в сильно легированных полупроводниках и выведены энергетические критерии сильного высокотемпературного и низкотемпературного комплексообразования. Показано, что при высоких температурах (${T\sim1350^{\circ}}$С) вакансии в бездислокационных кристаллах Si образуются преимущественно по механизму Френкеля, что приводит к генерации большого количества собственных междоузельных атомов, обладающих высокой подвижностью при комнатной температуре.