Внутренняя фотоэмиссия в электронно-дырочных переходах

Определено распределение по энергии носителей заряда, инжектированных излучением 10.6 мкм из сильно легированной области в слабо легированную область $p^{+}{-}n$-перехода. Для этой цели использована методика, основанная на применении биполярной транзисторной структуры, что позволило вести измерения при больших прямых смещениях эмиттера, соответствующих малой высоте барьера для инжектируемых носителей. При этом удалось увеличить квантовую эффективность фотоинжекции.
Показано, что при 77 K зависимость фототока от смещения близка к фаулеровской, в то время как при 300 K она приближается к экспоненциальной. Дано качественное объяснение наблюдавшихся закономерностей.