Низкотемпературная проводимость и магнитосопротивление пленок системы германий–медь в области составов, соответствующих переходу металл–диэлектрик

В интервале ${1.2\div300}$ K измерены температурная зависимость удельного сопротивления $\rho(T)$ и магнитосопротивление (МС) пленок Ge$_{1-x}$Cu$_{x}$ (${x=1\div20}$ ат%), толщины слоев ${0.4\div1.8}$ мкм. Образцы готовились методом термического напыления из взвешенного состояния на подложки, находящиеся при температуре 300$^{\circ}$С. Анализ структуры показал, что при ${x< 0.1}$ пленки аморфные, а при ${x>0.1}$ поликристаллические. Показано, что: 1)  при ${T< 25}$ K ${\rho(T)=\rho_{0}\exp(T_{1}/T)^{n}}$, где ${n\approx0.43\div0.65}$; 2)  величина отрицательного МС на диэлектрической стороне перехода уменьшается по мере уменьшения $T_{1}$, т. е. при приближении к ПМД. Обсуждается механизм температурной зависимости проводимости.