Влияние рассогласования зонных параметров $E_{g}$ и $\Delta_{0}$ на скорость межзонной оже-рекомбинации в Ga$_{1-x}$In$_{x}$Sb $p$-типа

Изучалась зависимость скорости CHSH-процесса межзонной оже-рекомбинации от рассогласования зонных параметров $E_{g}$ и $\Delta_{0}$. С этой целью измерялись времена жизни фотоэлектронов в сильно легированных кристаллах Ga$_{1-x}$In$_{x}$Sb $p$-типа в условиях преобладания CHSH-процесса. Было обнаружено замедление CHSH-процесса по мере увеличения разности значений $\Delta_{0}$ и $E_{g}$ с изменением состава кристаллов. Влияние рассогласования параметров $E_{g}$ и $\Delta_{0}$ оказалось заметно слабее имевшихся теоретических предсказаний для случая невырожденного распределения носителей. Это отличие объясняется глубоким проникновением уровня Ферми в валентную зону исследовавшихся сильно легированных кристаллов.
Показано, что уменьшение скорости CHSH-процесса в кристаллах GaSb с температурой также вызывается эффектом рассогласования величин $E_{g}$ и $\Delta_{0}$ вследствие температурного сужения запрещенной зоны.