Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP

Исследованы токи утечки диффузионных планарных $p{-}n$-переходов в InP и $p{-}i{-}n$-структур InGaAs/InP. Выяснено влияние особенностей формирования диэлектрических покрытий (SiO$_{2}$. Si$_{3}$N$_{4}$) и $p{-}n$-перехода на величину поверхностной и объемной составляющих тока утечки. Обнаружено, что изменения величины токов утечки ($I_{\text{ут}}$) в пределах нескольких порядков ($10^{-12}{-}10^{-6}$ А) связаны с изменением поверхностной составляющей тока.
Показано, что $I_{\text{ут}}$ при минимальных полученных значениях скорости поверхностной генерации ${2\cdot 10^{3}}$ см/с определяются поверхностной составляющей для $p{-}n$-переходов диаметром меньше 200 мкм, для больших размеров величины составляющих тока объемной и поверхностной генерации сравнимы.
Получены планарные $p{-}n$-переходы в InP с плотностью ${I_{\text{ут}}=4\cdot10^{-10}\,\text{А/см}^{2}}$ при ${V_{\text{обр}}= 1}$ В, ${I_{\text{ут}}=10^{-6}\,\text{А/см}^{2}}$ при ${V_{\text{обр}}=30{-}40}$ В и быстродействующие планарные $p{-}i{-}n$-фотодиоды на длину волны 1.3 мкм с плотностью ${I_{\text{ут}}=3.5\cdot 10^{-7}\,\text{А/см}^{2}}$ при ${V_{\text{обр}}=1}$ B.