Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 8, страницы 1371–1374 (Mi phts1338)  
Диэлектрическое экранирование в слоистых полупроводниках типа A$^{\text{V}}_{2}$B$^{\text{VI}}_{3}$

Е. В. Олешко, В. Н. Королышин
PDF полного текста (345 kB)
Аннотация: Методом псевдопотенциала решено уравнение Паули и рассчитана зонная структура селенида висмута. Непрямая запрещенная зона составляет 0.299 эВ. Главный минимум зоны проводимости локализован в точке $\Gamma$ зоны Бриллюэна, дополнительный минимум смещен в направлении $\Lambda'$. В валентной зоне два максимума размещены в направлениях $\Lambda'$ и $\Delta$.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Олешко, В. Н. Королышин, “Диэлектрическое экранирование в слоистых полупроводниках типа A$^{\text{V}}_{2}$B$^{\text{VI}}_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1371–1374
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Е.~В.~Олешко, В.~Н.~Королышин
\paper Диэлектрическое экранирование в~слоистых полупроводниках типа~A$^{\text{V}}_{2}$B$^{\text{VI}}_{3}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 8
\pages 1371--1374
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1338}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1338
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i8/p1371
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:74
    PDF полного текста:83
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026