Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 10, страницы 1883–1885 (Mi phts1452)  
Краткие сообщения

Влияние мощности дозы гамма-облучения на сдвиг порогового напряжения МОП транзисторов

Ю. В. Баринов, Ф. Г. Гайсин, Р. Г. Усеинов, Н. Г. Чайковский
PDF полного текста (486 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. В. Баринов, Ф. Г. Гайсин, Р. Г. Усеинов, Н. Г. Чайковский, “Влияние мощности дозы гамма-облучения на сдвиг порогового напряжения МОП транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1883–1885
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Ю.~В.~Баринов, Ф.~Г.~Гайсин, Р.~Г.~Усеинов, Н.~Г.~Чайковский
\paper Влияние мощности дозы гамма-облу\-че\-ния на сдвиг порогового напряжения
МОП транзисторов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 10
\pages 1883--1885
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1452}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1452
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i10/p1883
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025