Потенциальный барьер в М$-$П$-$М структурах на основе теллурида кадмия

Изложены результаты исследования потенциального барьера на границе металл–низкоомный теллурид кадмия $n$- и $p$-типа при различных способах нанесения металла и различных обработках поверхности полупроводника.
Показано, что при обычной обработке поверхности теллурида кадмия величина потенциального барьера не зависит от работы выхода металла и уровень Ферми на поверхности закреплен на 0.65 эВ выше потолка валентной зоны как в $n$-, так и в $p$-типа низкоомном материале.
Фиксация уровня Ферми на поверхности связывается с наличием большого количества (${10^{14}\,\text{см}^{-2}\cdot\text{эВ}^{-1}}$) несобственных поверхностных состояний, образовавшихся при окислении поверхности теллурида кадмия в обычной атмосфере.
Показано, что обработка поверхности (выбор травителя или очистка поверхности в вакууме с последующим нанесением металла) может приводить как к уменьшению плотности, так и к существенному изменению энергетического спектра поверхностных состояний.