Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 604–609 (Mi phts1689)  

Кинетика образования «вторых» кислородных доноров в кремнии

Ю. М. Бабицкий, П. М. Гринштейн

Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"
Аннотация: Исследовано влияние углерода и условий предварительной термообработки па генерацию кислородных доноров в кремнии в диапазоне температур ${600\div800^{\circ}}$С. Обнаружено, что предельные значения максимальной концентрации «вторых» доноров, образующихся при температуре $750^{\circ}$С, достигаются для длительностей предварительной обработки при $430^{\circ}$С ${\sim100}$ ч. Дальнейшее увеличение времени предварительной обработки не приводит к изменению максимальной концентрации «вторых» доноров. Показано, что максимальная концентрация этих доноров возрастает с увеличением содержания углерода в образцах, прошедших предварительную термообработку при $430^{\circ}$С длительностью 100 ч. Начальная скорость образования «вторых» доноров пропорциональна четвертой степени от исходного содержания кислорода. На основе этих результатов рассмотрена модель генерации доноров, состоящих из четырех атомов кислорода. Предполагается, что в процессе предварительной обработки при низкой температуре происходит накопление комплексов O$_{5}$. При более высокой температуре вследствие их диссоциации образуются донорные центры O$_{4}$ из-за протекания процесса коалесценции. Оценена энергия связи комплексов O$_{5}$, которая оказалась равной 1.2 эВ. Из сопоставления кинетических данных образования «вторых» доноров в образцах с высоким и низким содержанием углерода сделано предположение о том, что помимо донорных центров O$_{4}$ в образцах с высоким содержанием углерода возможно образование донорных центров типа CO$_{4}$.
Поступила в редакцию: 12.09.1983
Принята в печать: 15.10.1983
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Ю. М. Бабицкий, П. М. Гринштейн, “Кинетика образования «вторых» кислородных доноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 604–609
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabGri84}
\by Ю.~М.~Бабицкий, П.~М.~Гринштейн
\paper Кинетика образования <<вторых>> кислородных доноров
в~кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 4
\pages 604--609
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1689}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1689
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i4/p604
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:77
    PDF полного текста:45
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026