Связанный экситон в ионных полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны

Прямым вариационным методом рассчитывается энергия основного состояния экситона, связанного на ионизированном акцепторе или ионизированном доноре в ионных полупроводниках типа А$^{\text{II}}$B$^\text{VI}{}$ и А$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с вырожденным краем валентной зоны. Показано, что для оценки энергии основного состояния экситона, локализованного на ионизированном акцепторе, можно ограничиться рассмотрением невырожденного случая, если в качестве эффективной массы дырки использовать ее «усредненное» значение, заимствованное из задачи о мелких акцепторах. Найден качественно новый критерий существования экситонного комплекса в ионных полупроводниках, согласно которому экситонные комплексы могут образовываться лишь на однозарядных примесях. Вычисленные значения энергии диссоциации экситонных комплексов сопоставляются с экспериментом.