Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 6, страницы 1046–1051 (Mi phts1797)  

Влияние неизотермичности среды на оптические процессы с участием свободных носителей тока

Н. В. Фомин

Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина
Аннотация: Методом кинетического уравнения рассмотрено влияние градиента температуры ($\nabla T_{e}$) на анизотропную часть распределения носителей тока в невырожденном полупроводнике. Показано, что это влияние на оптическое поглощение может быть заметным при ${\bigl\langle\bigl(l\,\frac{\nabla T_{e}}{T_{e}}\bigr)^{2}\bigr\rangle (\alpha d)\approx1}$, где $l$ — длина свободного пробега носителя, $\alpha$ — коэффициент поглощения мощности, $d$ — длина оптического пути в веществе. Показана также возможность изменения оптических свойств при комбинированном воздействии градиента температуры и постоянного электрического поля. Так как возможный в этом направлении эксперимент предусматривает применение оптического излучения повышенной интенсивности, рассмотрено влияние собственного поля волны на анизотропию распределения. Найдено, что сопутствующий эффект самовоздействия может проявляться при интенсивности излучения в среде $I\approx \bigl\langle\bigl(l\,\frac{\nabla T_{e}}{T_{e}}\bigr)^{2}\bigr\rangle I^{*}, I^{*}= 10^8 n \bigl(\frac{m^*}{m}\bigr)\bigl(\frac{\omega}{10^{15}}\bigr)^2 T_{e}, n$ — показатель преломления, $m^*$ — эффективная масса носителей тока.
Поступила в редакцию: 21.06.1983
Принята в печать: 24.01.1984
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Н. В. Фомин, “Влияние неизотермичности среды на оптические процессы с участием свободных носителей тока”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1046–1051
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Fom84}
\by Н.~В.~Фомин
\paper Влияние неизотермичности среды на оптические процессы с~участием
свободных носителей тока
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 6
\pages 1046--1051
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1797}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1797
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i6/p1046
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:82
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026