Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 6, страницы 1120–1123 (Mi phts1819)  

Краткие сообщения

О структуре краевой люминесценции эпитаксиальных пленок ZnTe на сапфире

Э. А. Сенокосов, В. Г. Стойкова, А. Н. Усатый, М. В. Чукичев

Кишиневский государственный университет им. В. И. Ленина
Поступила в редакцию: 30.03.1983
Принята в печать: 10.01.1984
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Э. А. Сенокосов, В. Г. Стойкова, А. Н. Усатый, М. В. Чукичев, “О структуре краевой люминесценции эпитаксиальных пленок ZnTe на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1120–1123
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SenStoUsa84}
\by Э.~А.~Сенокосов, В.~Г.~Стойкова, А.~Н.~Усатый, М.~В.~Чукичев
\paper О структуре краевой люминесценции эпитаксиальных пленок ZnTe
на сапфире
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 6
\pages 1120--1123
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1819}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1819
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i6/p1120
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:93
    PDF полного текста:37
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026