Фотонный перенос носителей заряда в варизонных $m{-}s$-структурах

Обнаружено, что при низких температурах на участке коротковолнового спада спектра фототока варизонных $m{-}s$-структур возникает излом, связанный с фотонным дрейфом неосновных носителей заряда (ННЗ). Предложена методика определения параметров фотонного дрейфа ННЗ по спектрам фототока.
Экспериментально изучены варизонные $m{-}s$-структуры GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ с концентрациями дырок ${p=2\cdot10^{18}}$, ${7\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ и значениями градиента ширины запрещенной зоны 120 и 100 эВ/см. Определены значения внутреннего квантового выхода $\eta$, транспортной длины $\mathcal{L}^{+}$, а также фотонной $\mathcal{L}_{nr}$ и дрейфовой $\mathcal{L}_{n}$ составляющих транспортной длины.
Показано, что в структуре с ${p=2\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ доминирует фотонный перенос ННЗ, в то время как в структуре с ${p=7\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ преобладает перенос ННЗ за счет дрейфа в квазиэлектрическом поле.