Новый тип примесных дефектов в полуизолирующем арсениде галлия

Методом малоуглового рассеяния излучения СO$_{2}$-лазера впервые обнаружены в полуизолирующем GaAs примесные неоднородности с характерным размером (радиусом) ${\sim6{-}20}$ мкм и концентрацией носителей заряда ${\sim10^{16}\,\text{см}^{-3}}$. Профиль распределения носителей заряда в наблюдаемых микровключениях описывается законом Гаусса. Исследованы зависимости диаграмм рассеяния света от температуры образцов и влияние термообработки на характерные параметры неоднородностей.