Определение параметров «чистых» и компенсированных полупроводников по закономерностям эффекта эксклюзии

Для целей определения параметров — концентрации примесей, подвижности и времени жизни носителей, температурной зависимости подвижности, глубины залегания в запрещенной зоне уровня рекомбинации и концентрации ловушек в случае «чистых» материалов, подвижности, времен жизни и сечений захвата основных и неосновных носителей, их температурной зависимости, а также концентраций ловушек и вакансий на них в случае компенсированных полупроводников — предлагается использовать закономерности эффекта эксклюзии и, в частности, распределения электрического поля в базе и различные участки ВАХ структуры. Предложенная методика применена для определения кинетических и рекомбинационных параметров в германии различной чистоты и в кремнии, компенсированном кадмием.