Пространственное распределение электрически активных центров в $n$-арсениде галлия и его изменения при гамма-облучении

Обнаружен и исследован процесс роста скоплений акцепторных центров в арсениде галлия $n$-типа при гамма-облучении. Показано, что концентрация водородоподобных доноров при облучении не изменяется, и найдено распределение плотности донорных состояний неконтролируемых водородоподобных примесей по энергиям. Установлено, что скорость введения акцепторных центров соответствует пороговой энергии образования пары Френкеля ${\sim20}$ эВ. Обнаружено введение центров с энергией ${E_{c}{-}(23\pm2)}$ мэВ.