Многозначные распределения электронов по эквивалентным долинам кремния в магнитном поле

Рассматриваются многозначные распределения электронов (МРЭ) по трем эквивалентным парам долин в $n$-Si в присутствии магнитного поля для малого отклонения тока от [111] в сторону [110]. Впервые экспериментально и численно показано, что осуществляются МРЭ вблизи теоретически предсказанных петлеобразных участков вольтамперных характеристик. Такие участки существуют без магнитного поля для токов, направленных вдоль [111]; в присутствии магнитного поля, когда суммарное электрическое поле (холловское и тянущее) одинаково разогревает все три пары долин. МРЭ ведут к появлению сильных, поперечных току электрических полей, при этом зависимости тока от магнитного поля характеризуются скачкообразным изменением тока.