Влияние взаимодействия комплекса дефект–атом фосфора на формирование свойств нейтроно-легированного кремния

Исследован отжиг радиационных дефектов и изменения концентрации атомов фосфора замещения в кремнии, подвергнутом облучению различными дозами нейтронов методом низкотемпературной фотолюминесценции (ФЛ) при 4 K.
На основании зависимости характера спектра ФЛ от соотношения в потоке быстрых и тепловых нейтронов выделены серии линий и полос, связанных с образованием преимущественно радиационных дефектов (в области 1.100 эВ) и присутствием примеси фосфора (${1.15\div1.12}$ эВ).
Изучены особенности постадийного отжига (${250\div500}$, ${430\div600}$, ${600\div800^{\circ}}$С) рекомбинационно-активных центров (РАЦ), определяющих излучение в указанной области спектра. Обнаружена связь между изменением РАЦ в диапазоне 1.12$-$1.15 эВ и концентрацией атомов фосфора замещения в области ${400\div500^{\circ}}$С. Оценена энергия активации изменения концентрации атомов фосфора замещения (${\sim0.5}$ эВ). Показано, что в процессах формирования свойств нейтронно-легированного кремния важную роль играет образование комплексов дефект–фосфор, причем существенно наличие в потоке быстрых нейтронов.