Влияние неоднородного разогрева носителей заряда при оже-рекомбинации на фотопроводимость полупроводников

Исследована фотопроводимость полупроводника при наличии разогрева электронно-дырочной плазмы вследствие оже-рекомбинации в условиях, когда плазма является пространственно неоднородной. Показано, что при наличии поверхностной рекомбинации спектральная зависимость фотопроводимости может иметь минимум в коротковолновой области за краем поглощения. Анализ экспериментальных данных на основе проведенного рассмотрения позволяет оценить характеристики материала.