Эффективное излучательное время жизни неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике

Эффективное излучательное время жизни $\tau_{r}^{*}$, которое ранее было введено при описании фотонного переноса неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике и вычислено для модели ступенчатого спектра поглощения, проанализировано в зависимости от параметра варизонности ${\beta\equiv|\nabla E_{g}|/kT\alpha_{0}}$ ($\nabla E_{g}$ — градиент ширины запретной зоны) при различных значениях параметра Урбаха ${u\equiv\varepsilon/kT}$ ($\varepsilon$ — характеристическая энергия, определяющая размытость ступеньки высотой $\alpha_{0}$ коэффициента поглощения света вблизи края собственного поглощения).
Предполагалось, что скорость генерации фотонов при излучательной рекомбинации носителей связана с коэффициентом поглощения света соотношением Ван Русбрека–Шокли, а квантовый выход внутреннего фотоэффекта равен единице.
Показано, что и в случае размытого края поглощения (${u\ne0}$) вдали от границ варизонного полупроводника могут быть введены не зависящие от координаты кинетические коэффициенты фотонного переноса неравновесных носителей заряда; при этом эффективное излучательное время жизни $\tau^{*}_{r}$связано только с выходом части фотонов из образца наружу; ${1/\tau^{*}_{r}}$ монотонно растет как с ростом $\beta$ при фиксированном $u$, так и с ростом $u$ при фиксированном $\beta$, принимая наименьшие значения при ${u=0}$.