Отжиг радиационных дефектов в $n$-SiC ($6H$), обученном нейтронами

Изучены электрические и оптические свойства $n$-SiC политипа $6H$, облученного потоком нейтронов дозой ${10^{18}\div10^{20}\,\text{см}^{-2}}$, в зависимости от времени и температуры отжига ($T_{0}$). Электрические измерения сопоставлены с данными, полученными методом ЭПР. Выявлен ряд центров с термическими энергиями ионизации ${E_{c}{-}(0.9\div0.5)}$, ${E_{c}{-}0.24}$, ${E_{c}{-}0.13}$ эВ. Проведен расчет концентрации дефектных центров ${E_{c}{-}0.24}$ эВ и определена энергия активации процесса отжига этих дефектов. Изучена зависимость интенсивности «зеленой» дефектной люминесценции от $T_{0}$.