Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс в $n$-Si

Исследуется концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс увлечения $M$ при ${T=85}$ K с учетом рассеяния электронов на акустических фононах и ионизированных примесях, а также с учетом рассеяния фононов на фононах посредством механизма Херринга и на свободных носителях тока в поле иона примеси, когда закон сохранения квазиимпульса при фонон-электронных взаимодействиях не выполняется. Получено удовлетворительное согласие результатов теоретических расчетов с опытными данными.