Прыжковая проводимость в $6H$-SiC, легированном Al

Проведено исследование прыжковой проводимости по примесям в $6H$-SiC, легированном Аl, с ${N_{A}-N_{D}=4\cdot10^{19}\div4\cdot10^{20}\,\text{см}^{-3}}$ и влияния на нее компенсации донорным Be, вводимым с помощью диффузии. Показано, что энергия активации прыжковой проводимости ($\varepsilon_{3}$) существенно меньше величины, определяемой классическим законом (${\varepsilon_{3}\approx0.3\varepsilon_{A}}$), что связано с влиянием перекрытия волновых функций акцепторного Аl. При ${N_{\text{Al}}\sim10^{21}\,\text{см}^{-3}}$ начиная с комнатных температур выполняется закон Мотта для прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка. Оценена плотность состояний ${g(\mu)=3\cdot10^{21}\,\text{см}^{-3}\cdot\text{эВ}^{-1}}$.