Исследование процессов восстановления и природа низкоомного состояния, возникающего при переключении в халькогенидных стеклообразных полупроводниках

Установлено сходство процессов восстановления высокоомного состояния в тонких (${L\approx 1{-}3}$ мкм) образцах переключателей и элементов памяти, изготовленных из халькогенидных стеклообразных полупроводников, свидетельствующее о том, что в переключателях, так же как и в элементах памяти, тепловые процессы играют существенную роль при формировании низкоомного состояния, при этом величина температуры шнура тока близка к $T_{g}$. Путем сопоставления зависимости напряжения прямого перехода от температуры с временной зависимостью этого параметра при восстановлении высокоомного состояния определена температура шнура тока в низкоомном состоянии в переключателях различной толщины. Как на объемных образцах, где характеристики переключения являются типичными для теплового пробоя, так и на тонких слоях температура оказалась равной 500$-$550 K. Из факта совпадения температуры сделан вывод об общей природе низкоомного состояния при различных формах переключения. Предполагается, что в низкоомном состоянии при повышенной температуре имеет место переход к металлической проводимости, обусловленной образованием большой концентрации ионизованных $C_{3$-центров}, появляющихся в результате структурной перестройки. Предложенная модель количественно объясняет величину плотности тока и значение минимального тока поддержания низкоомного состояния.