Анизотропия электропроводности и эффекта Холла кристаллов TlSe под давлением

Исследовано влияние гидростатического давления (0$-$8.4 кбар) на анизотропию эффекта Холла и электропроводность кристаллов TlSe при 300 K, имеющих концентрацию носителей тока ${n\leqslant4\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$. Определены барические коэффициенты энергии активации проводимости для различных образцов, изменяющиеся в пределах от ${\partial E_{g\parallel}/\partial P= -1.3\cdot10^{-5}}$ до ${\partial E_{g\parallel}/\partial P= -1.6\cdot10^{-5}\,\text{эВ}\cdot\text{бар}^{-1}}$ для направления тока, параллельного оси С кристалла, и от ${\partial E_{g\perp}/\partial P=-2.4\cdot10^{-5}}$ до ${\partial E_{g\perp}/\partial P =-2.6\cdot10^{-5}\,\text{эВ}\cdot\text{бар}^{-1}}$ для направления тока, перпендикулярного оси С. При этом большие по абсолютной величине значения барических коэффициентов соответствуют образцам с меньшей концентрацией.
Особенности кинетических эффектов в селениде таллия под давлением объясняются в рамках представлений о проводимости и эффекте Холла неупорядоченного кристалла.