Трансформация размеров кластеров собственных точечных дефектов в полупроводниках

Представлена модель трансформации размеров кластеров собственных точечных дефектов в элементарных полупроводниках под влиянием внешних воздействий на кристалл. Рассмотрено взаимодействие кластеров с двухкомпонентным твердым раствором подвижных междоузельных атомов и вакансий и определены условия изменения размеров кластеров.
Анализируется качественная сторона трансформации кластеров при термообработках в различных атмосферах и радиационных воздействиях, проведено сопоставление с экспериментами для Si. Сделана оценка величины энергии связи атомов в ростовых $A$-кластерах в монокристаллах бездислокационного кремния (2.2$-$2.8 эВ).