Интерференционный лазерный отжиг полупроводников

Под интерференционным лазерным отжигом (ИЛО) понимается воздействие мощного лазерного излучения, являющегося когерентной суперпозицией двух и более световых пучков, интерферирующих между собой на поверхности или внутри полупроводника. В работе показаны возможности ИЛО в создании новых методов контроля кристаллизации аморфных напыленных и ионно-имплантированных слоев под действием лазерного излучения и в исследовании физических процессов, имеющих место при лазерном отжиге. Рассмотрены также вопросы, связанные с развитием новых технологических методов создания элементов и устройств интегральной оптики.