Электрические свойства и механизмы токопрохождения тонкопленочных гетеропереходов $p$-Cu$_{2}\text{S}{-}n$-Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$S

Исследованы электрические свойства гетеропереходов (ГП) типа $p$-Cu$_{2}\text{S}{-}n$-Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$S, изготовленных на основе пленок твердых растворов различного состава (${0\leqslant x\leqslant1}$). определены электрические параметры ГП, установлены реализующиеся механизмы прохождения прямого тока и их взаимосвязь с составом базового материала.
Показано, что в исследованных структурах в зависимости от состава твердых растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$S, температуры, технологических условий формирования гетероконтакта могут наблюдаться туннельно рекомбинационный, эмиссионно-рекомбинационный или оба механизма токопрохождения одновременно.
Оказалось, что ГП, изготовленные химическим способом на основе твердых растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$S из узкой области составов ${x\simeq0.15\pm 0.01}$, в которых доминирующими являются эмиссионно-рекомбинационные процессы, являются оптимальными для изготовления солнечных элементов.