Двумерный электронный газ и анизотропия явлений переноса в гетероструктуре GaAs$-$Al$_{s}$Ga$_{1-x}$As

Измерены магнитосопротивление, коэффициент Холла и эффект Шубникова–де-Гааза для селективно легированного гетероперехода GaAs$-$Al$_{s}$Ga$_{1-x}$As, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Результаты объясняются существованием двух электронных систем: двумерной на гетерогранице с высокой подвижностью ${\mu\,(4.2\,\text{K})\leqslant25\,000\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$ и трехмерной в объеме полупроводника с низкой подвижностью ${\mu\,(4.2\,\text{K})\sim1000\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$. Зависимость магнитосопротивления от угла наклона магнитного поля к плоскости гетероперехода может быть использована в качестве высокотемпературного теста на двумерность электронного газа в указанной системе.