Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 2, страницы 305–311 (Mi phts2155)  

Влияние последовательного сопротивления диода Шоттки на его эффективную емкость

О. В. Константинов, О. А. Мезрин
Аннотация: Показано, что последовательное сопротивление толщи перехода металл–полупроводник может существенно изменять вид вольтъемкостных характеристик диода. При низких частотах в области прямого смещения появляется минимум зависимости $1/C^{2}$ от смещения. Соответствующее ему напряжение тем меньше, чем больше последовательное сопротивление. На участке напряжений, меньших, чем напряжение минимума, характеристика практически не изменяет своего вида при изменении сопротивления. Когда частота достигает некоторого критического значения, этот участок начинает изменять свою форму. В некоторой переходной области характеристики остаются прямыми и не изменяют наклона, но смещаются вверх, что эквивалентно увеличению емкостного напряжения отсечки. При больших частотах вольтъемкостная характеристика более уже не содержит нормального прямолинейного участка. Установленные особенности вольтъемкостной характеристики позволяют определять величину последовательного сопротивления.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Влияние последовательного сопротивления диода Шоттки на его эффективную емкость”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 305–311
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonMez83}
\by О.~В.~Константинов, О.~А.~Мезрин
\paper Влияние последовательного сопротивления диода Шоттки на его
эффективную емкость
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1983
\vol 17
\issue 2
\pages 305--311
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2155}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2155
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i2/p305
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:111
    PDF полного текста:158
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026