Оптическое гашение фотопроводимости в монокристаллах $\gamma$-La$_{2}$S$_{3}$

Обнаружено явление гашения фотопроводимости при одновременном освещении кристалла $\gamma$-La$_{2}$S$_{3}$ светом из области собственного поглощения (${h\nu\sim3.4}$ эВ) и светом с энергией квантов $\sim2.0$ эВ при 300 и 80 K. Приводится объяснение эффекта, учитывающее наличие уровней рекомбинации в запрещенной зоне.