|
|
Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 4, страницы 611–613
(Mi phts2236)
|
|
|
|
Имплантация ионов галлия в пленки PbSe
И. А. Аброян, Б. З. Алиев, С. Д. Имамкулиев, С. А. Казьмин, В. И. Кайданов, Г. Д. Касаманли, А. В. Суворов
Аннотация:
Приводятся экспериментальные данные об электрофизических
свойствах пленок PbSe на слюдяных подложках, легированных Ga. Примесь
вводилась в пленки ионным легированием. Показано, что Ga в PbSe действует
как донор. Согласие экспериментальных данных с проведенным расчетом
оказывается хорошим, если предположить, что каждый атом галлия поставляет
один электрон в зону проводимости или на акцепторные уровни.
Образец цитирования:
И. А. Аброян, Б. З. Алиев, С. Д. Имамкулиев, С. А. Казьмин, В. И. Кайданов, Г. Д. Касаманли, А. В. Суворов, “Имплантация ионов галлия в пленки PbSe”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 611–613
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts2236 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i4/p611
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 93 | | PDF полного текста: | 47 |
|