Образование радиационных дефектов в Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te при ионной имплантации. II. Имплантация ионов II и III группы

С помощью предложенной модели радиационного дефекта (межузельная ртуть, захваченная термическим клином) были объяснены особенности в дозовой зависимости слоевой плотности электронов $\Delta N_{s}(\Phi)$, индуцированных внедрением ионов II и III группы в $n$-Hg$_{0.8$Cd$_{0.2}$Те}, связанные с проявлением радиационного самоотжига. В рамках кинетической модели образования радиационных дефектов рассмотрена необычная дозовая зависимость слоевой плотности электронов ${\Delta N_{s}(\Phi)\sim\sqrt{\Phi}}$ в образцах с имплантированными ионами III группы после термического отжига.