Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 6, страницы 1021–1024 (Mi phts2336)  
ТОПЗ при ограниченной эмиссионной способности инжектирующего контакта

И. И. Побережец, П. Е. Харук
PDF полного текста (542 kB)
Аннотация: Показано, что при ограниченной эмиссионной способности инжектирующего контакта можно получить ток, ограниченный пространственным зарядом (ТОПЗ). Получено уравнение вольтамперной характеристики, которое описывает одновременное ограничение тока эмиссией носителей из контакта и пространственным зарядом. ТОПЗ при ограниченной эмиссионной способности инжектирующего контакта экспериментально получен в кристаллах антрацена, легированных продуктами фотоокисления. В качестве количественного критерия ТОПЗ использовалось измерение переходных инжекционных токов.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. И. Побережец, П. Е. Харук, “ТОПЗ при ограниченной эмиссионной способности инжектирующего контакта”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1021–1024
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by И.~И.~Побережец, П.~Е.~Харук
\paper ТОПЗ при ограниченной эмиссионной способности инжектирующего
контакта
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1983
\vol 17
\issue 6
\pages 1021--1024
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2336}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2336
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i6/p1021
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:76
    PDF полного текста:46
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026