О влиянии дислокаций на величину обратного тока $p{-}n$-переходов в твердых растворах GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

Исследованы резкие $p^{+}{-}n$-переходы в твердых растворах GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${0.015\leqslant x\leqslant 0.18}$). Плотность дислокаций, пересекающих $p{-}n$-переход, варьировали от ${N_{d}=(3\div5)\cdot10^{5}}$ до ${N_{d}\geqslant2\cdot10^{7}\,\text{см}^{-2}}$. Показано влияние дислокаций на величину тока генерации-рекомбинации носителей в области пространственного заряда и тока в области туннельного пробоя.