Рекомбинация и диффузия неравновесной плазмы в InSb при высоких уровнях возбуждения

Исследованы коэффициент диффузии, время жизни и подвижность электронно-дырочной плазмы в InSb в условиях лазерного возбуждения при комнатной температуре в диапазоне интенсивностей ${10^{22}\div10^{24}\,\text{см}^{-2}\cdot\text{с}^{-1}}$.
При сравнении экспериментальных зависимостей пропускания и отражения ИК излучения и фотопроводимости от интенсивности сильно поглощаемого излучения с расчетными учитывались нелинейная рекомбинация и вырождение носителей, а также кейновский закон дисперсии зоны проводимости. Оказалось, что концентрационная зависимость темпа объемной рекомбинации носителей близка к квадратичной, а наблюдаемый рост коэффициента биполярной диффузии с концентрацией приводит к тому, что диффузионная длина остается практически неизменной в исследуемом диапазоне уровней возбуждения. Предлагается объяснение полученных результатов.